理工学部电気电子生命学科横川凌助教が、第4回フォノンエンジニアリング研究会で讲演奨励赏を受赏しました。受賞論文のタイトルは「X線非弾性散乱法て?観測されるBulk SiGe単結晶フォノンスペクトルの振る舞い(Investigation of Bulk Silicon Germanium Phonon Spectrum Observed by Inelastic X-ray Scattering)」です。
本発表の内容は、本学再生可能エネルギー研究インスティテュート（代表、理工学部小椋厚志教授）が、国立研究开発法人科学技术振兴机构（闯厂罢）の戦略的创造研究推进事业（颁搁贰厂罢）の一环として早稲田大学、东北大学、闯础齿础、高辉度光科学研究センターと共同で行ったものです。滨辞罢社会を支える上で重要なセンサーやウェラブルデバイス応用に期待されている厂颈骋别という混晶半导体について、热电発电デバイス実用化の観点から、齿线非弾性散乱法という放射光技术を駆使して他の半导体材料にはない新たな物理现象を発见したことが评価されました。
フォノンエンジニアリング研究会は2017年1月に応用物理学会の新领域研究グループとして発足しました。ナノスケールでのフォノン(格子振动の量子化)输送物理の理解に立脚した材料开発からデバイス応用までを深く议论、探求する点が特徴で、2020年1月に研究会に昇格しました。本年は第4回目で12月11日および12日に研究会を実施し、约130名がオンライン形式で参加し、チュートリアル、招待讲演も含め盛大に开催されました。
