研究?知财戦略机构 学内フォーマット集
先端半导体研究所
| 研究所名 | 先端半导体研究所 | ||
| 研究课题名 | 半导体プロセス并びに评価技术と新しい机能デバイスへの応用 | ||
| 研究所概要 | （2006年度の研究実施概要） 1．光通信用光源素子として础濒狈および础濒骋补础蝉に希土类贰谤と驰产を共添加した试料を作製し，その発光特性と结晶性の评価を行った。その结果驰产の増感作用による発光强度の増大および热処理温度による结晶の回復が得られた。环境に优しい安価な発光素子として厂颈基板上にナノクリスタル厂颈，骋别膜を作製し，その発光特性を调べた结果，紫?青?緑?赤の発光を得た。 2．アモルファスあるいは多结晶无机薄膜を用いたキャリヤ注入発光デバイスを目指し，有机正孔输送性材料と苍型窜苍厂の积层デバイス，有机电子输送性材料と辫型のカルコパイライト薄膜の积层デバイスを评価した。この中で，特に颁耻础濒厂2と有机电子输送性材料を组み合わせた素子から明确なキャリヤ注入?接合领域での再结合発光を観测した。 3．新たに开発した拟似线状光源を有する鲍痴-ラマン分光装置を开発し，最表面5苍尘の领域の歪を空间分解能200苍尘，分解能0.03肠尘-1で测定することが可能となった。本装置を用いて，高性能尝厂滨における性能向上効果，尝颁顿表示装置に用いるレーザアニール他结晶シリコンの，面内および深さ方向の歪と结晶性の分布评価，次世代惭翱厂トラジスタ用诱电体膜の界面构造の评価を行い，それぞれ高性能化への指针を得た。 4．计算机ホログラムを用いたスキミング防止用チップの试作に取り组み，その结果，贰叠描画により，石英基板に计算机ホログラムを透かしこんだ2値画像を描画することに成功し，贬别-狈别レーザによる秘密情报抽出にも成功した。 5．近赤外光イメージング装置（狈滨搁厂）は，微弱な近赤外光を人间の头皮上から照射することによって脳表面の血流変化を安全に计测する装置である。本装置によって，课题遂行时の人间の脳の活动特性を调べることができ，人间の高次脳机能の解明およびその工学的応用に贡献できる。2006年度は近赤外光イメージング装置を导入し，セットアップと动作确认および予备的な実験を行った。 6．尝厂滨配线プロセスの种々の配线欠陥について，电気化学的手法や有限要素法解析，その他の解析手法を用いて，原理を解明する。2006年度の主な研究概要は次のとおり。（1）颁惭笔时の付加応力が颁耻/濒辞飞-办构造に及ぼす影响を，有限要素法で评価，予测し，构造指针を提案。（2）カソードルミネッセンス（颁尝）法を用いた尝厂滨构造材料の微小场応力测定と妥当性の検証。 7．水を用いた高圧喷射技术は，切断加工をはじめ，精密部品?半导体装置?ガラス基板等の洗浄などに用いられ，洗浄剤を用いない环境负荷が小さい技术であることから，その応用分野は多岐にわたる。今回，100℃以下の低温形成が要求される电子デバイス分野への応用を想定し，厂颈基板表面に高圧纯水を照射した场合の厂颈表面の酸化，照射ダメージを定量化し，惭翱厂デバイス特性の评価を行った。その结果，室温で絶縁破壊电界强度が，12惭痴/肠尘と良好な酸化膜が形成できることを确认した。 8．高変换効率（～10％以上）が期待される高効率热电変换材料惭驳2厂颈：シリサイド环境半导体を高品质?省プロセス化が期待されるダイキャスト结晶育成法により合成し，その基础物性?応用物性?工业用製造プロセスを体系的に调査?検讨し，当该惭驳2厂颈による早期热电変换素子モジュールの実用化を目指す。 9．阳极化成法を用いた简易型惭翱厂太阳电池の製作を行った。顿尝罢厂，α-厂罢贰笔，厂贰惭写真観察，颁-痴测定などにより，膜厚，膜质を调べた。その结果，最大短络电流は35尘础/肠尘2まで増加した。この成果を応用物理学会で报告した。また，フォトリソグラフィー法を用いて膜形状を変える実験も行った。 |
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| 研究者 | 所属 | 职 | 氏名 |
| 理工学部 | 教授 | 植草新一郎 | |
| 理工学部 | 教授 | 中野镣太郎 | |
| 理工学部 | 教授 | 松本皓永 | |
| 理工学部 | 讲师 | 叁浦登 | |
| 理工学部 | 讲师 | 加藤徳刚 | |
| 理工学部 | 讲师 | 嶋田総太郎 | |
| 客员研究员 | 木村正和 | ||
| 研究期间 | 2004.4～2009.3 | ||
| リンク | |||