理工学研究科电気工学専攻 博士後期課程2年の女屋 崇さん（半導体ナノテクノロジー研究室、指導教員：小椋 厚志専任教授）が、米国ノースカロライナ州ダーラムで開催された、IEEEが主催する国際会議Non-Volatile Memory Technology Symposium 2019（https://nvmts2019.com/）で、Best Poster Awardを受賞しました。
受賞論文のタイトルは”Comparison of Reliability of Ferroelectric HfxZr1?xO2 Thin Films Fabricated by Several Processes with Plasma-Enhanced and Thermal Atomic Layer Deposition“です。
本论文は、本学の再生可能エネルギー研究インスティテュートが国立研究开発法人「物质?材料研究机构」および米国のテキサス大学ダラス校（州立）と遂行した共同研究の结果として得られた成果です。
本国际シンポジウムは、鲍厂叠メモリーや携帯电话などに用いられている、电源を切っても内容を记忆する”不挥発性メモリー”に関する最新の成果が一堂に集う会议です。授赏対象となった论文は、原子层1层づつを积み上げて作製して开発した强诱电性を示すメモリー材料の、长期使用における特性劣化を防ぐための信頼性试験结果に関する内容であり、その完成度と新规性が评価されて、今回の受赏につながりました。
